IPD60R1K0CE TO-252-3 Componentes eletrônicos Circuito Integrado IC Chip IPD60R1K5CE IPD60R1K5PFD7S IPD60R210PF transistor
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Principais propriedades
Propriedades industriais
Número do Modelo
IPD60R1K0CE
Tipo
Transistor IGBT
Marca
original
Tipo do pacote
Através de orifício
Outras propriedades
Descrição descrição:
Transistor
Lugar de origem
Guangdong, China
Pacote/Caixa
Para-252-3
Temperatura de Operação
Padrão
Série
Gt50jr22 ic
d/c
Mais novo
Aplicação
Motorista MOSFET
Tipo de Fornecedor
Fabricante original
Meios de comunicação Disponíveis
Folha de dados
Tensão-Emissor de Coletor Breakdown (Max)
Padrão
Tipo de Montagem
Através do furo
FET Recurso
N/a
Escorra a Fonte de Tensão (Vdss)
30v
Atual-Dreno Contínua (Id) @ 25 °C
80a
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Padrão
Vgs (th) (Max) @ Id
Padrão
Porta de Carga (Qg) (Max) @ Vgs
Padrão
Atual-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
1-2.5v
Tensão-Corte (VGS off) @ Id
20v
Tipo de Transistor
Transistor bipolar com portão isolado
Tipo de montagem
Painel
Embalagem e entrega
Unidades de Venda:
Item único
Tamanho da embalagem única:
0.5X0.5X0.5 cm
Peso bruto único:
0.010 kg
Tempo de espera
Opções de personalização
Original packing (Quantidade mínima: 1,000 Peças)
Descrições do produto pelo fornecedor
Aviso/Aviso Legal
Califórnia Proposição 65 Aviso do ConsumidorVer mais
10 - 99 Peças
€ 0,2783
100 - 999 Peças
€ 0,2227
>= 1000 Peças
€ 0,167
Quantidade
Entrega
As soluções de envio para a quantidade selecionada não estão disponíveis no momento
Total do(s) item(ns) (0 variações 0 itens)
€ 0,00
Total do frete
Negociável
Subtotal
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